半導体の実装構造(US2021/0202332)

Appleは昨年からMac向け半導体を自社開発品のM1に切り替えましたが、次のMacBook Pro向けにM1Xが出るとの噂もあります。

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 そこで、半導体の実装方法の特許が出願されていたので読んでみました。

特許の内容

インターポーザとビルドアップ基板を接続する部分の発明です。

 インターポーザの説明は、Siインターポーザ | 日経クロステック（xTECH）で。

 明細書には２つの構造が記載されています。

１つ目の構造

インターポーザの接続パッドと、ビルドアップ基板のランディング・パッドを、導電性のフィルムで接続します（クレーム１）。

この導電性フィルムは、ピン配列で構成されています（クレーム４）。

ピン配列のピッチは、100ミクロン未満で、接続パッドのピッチより小さく設計されています（クレーム５）。

また、異方性の導電性フィルムを使ってもよいです(クレーム６)。

２つ目の構造

インターポーザとビルドアップ基板の間に誘電体膜を挟み、インターポーザの接続パッドと、ビルドアップ基板のランディング・パッドの電気的な接続は、誘電体膜に形成された導電性部材で行います。

製品

M1の断面写真です。

右側の黄色枠がSoCで、左側の緑枠がDRAMだそうです。

引用：Yole Développement Press - Software & Computing

引用元のレポートに補助線を書き足しています

ちなみに、NvidiaのGPUは下図のような構成だそうです。

引用：https://images.nvidia.com/content/pdf/tesla/whitepaper/pascal-architecture-whitepaper.pdf

 

書誌事項

出願日：2019/12/27

公開日：2021/7/1

発明者：Hu; Kunzhong; (Cupertino, CA) ; Zhong; Chonghua; (Cupertino, CA) ; Lu; Jiongxin; (Cupertino, CA) ; Zhai; Jun; (Cupertino, CA)

発明の名称：Scalable Extreme Large Size Substrate Integration

公開公報リンク：US2021/0202332